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DMN3135LVT-7  与  BSL306N H6327  区别

型号 DMN3135LVT-7 BSL306N H6327
唯样编号 A36-DMN3135LVT-7 A-BSL306N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.5mm
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
RdsOn(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.1A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 15V -
FET类型 2N-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 4.1nC @ 4.5V -
封装/外壳 TSOT-23 PG-TSOP6-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 3.5A -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
长度 - 3mm
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.5A

暂无价格 0 当前型号
BSL306N H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSL306NH6327XTSA1_PG-TSOP6-6 P-Channel 车规

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